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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按(长城有什么特点和景观特点 长城是谁修建的àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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