大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，杀害一只斑鸠是什么罪，打死一只斑鸠会定什么罪目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，202杀害一只斑鸠是什么罪，打死一只斑鸠会定什么罪2年(nián)收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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