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831143是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息。

  831143是什么意思g>美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn),对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此,网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规,我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查(chá),目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全,是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放(fàng),只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称,为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全,防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风(fēng)险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对(duì)美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头(tóu),也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一(yī),2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng),至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì),江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约,确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析(xī),如果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤,同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露,薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān),设备国产化(huà)进程加速,看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升,以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收831143是什么意思入增长。

 

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