大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(加湿器必须加纯净水吗，加湿器用纯净水太贵怎么办水guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业加湿器必须加纯净水吗，加湿器用纯净水太贵怎么办水龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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