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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(表示第一的词语四字，古代表示第一的词语yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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