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富士康漂亮女生一般分到哪里,富士康女生一般分到哪个岗位 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

  据网信(xìn)办消息(xī),日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险,影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依据(jù)《中华人(ré富士康漂亮女生一般分到哪里,富士康女生一般分到哪个岗位n)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》,网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》,对(duì)美(měi)光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  富士康漂亮女生一般分到哪里,富士康女生一般分到哪个岗位分析称(chēng),长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单(dān),设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆科技(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公(gōng)司份(fèn)额提升,以及存储业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

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