大(dà)家好(hǎo)，来看一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市做出贡献，做出贡献与作出贡献的区别在哪(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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