大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审(sh现实中真的可以把人玩坏吗ěn)查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 现实中真的可以把人玩坏吗铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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