大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据中考体育多少分满分2023，中考体育多少分及格网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下中考体育多少分满分2023，中考体育多少分及格游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 中考体育多少分满分2023，中考体育多少分及格