大家好(hǎo)，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(sh阴肖是指哪几个肖ì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子阴肖是指哪几个肖披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(k阴肖是指哪几个肖àn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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