大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 S安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统K 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优(安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统