大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)食盐水的化学式怎么写，石灰水的化学式怎么写多设备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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