大家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每tan1等于多少，tan1等于多少兀层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jtan1等于多少，tan1等于多少兀īng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 tan1等于多少，tan1等于多少兀