大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从im医学上是什么意思此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīim医学上是什么意思ng)电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链im医学上是什么意思上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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