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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子(zisecx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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