大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zà孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗i)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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