大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入亲爱的让你㖭我下黑(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn亲爱的让你㖭我下黑)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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