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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢小小心意,不成敬意请笑纳，小小心意 不成敬意是什么意思迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(小小心意,不成敬意请笑纳，小小心意 不成敬意是什么意思yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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