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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查正方体体对角线的公式是什么，正方体体对角线公式计算。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔正方体体对角线的公式是什么，正方体体对角线公式计算，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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