大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。公立小学一年级收费标准明细表，公立小学一年级收费标准表trong>存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)公立小学一年级收费标准明细表，公立小学一年级收费标准表，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。