大(dà)家好，来(lái)看一(yī)则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(戊申年是哪一年yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zh戊申年是哪一年ì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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