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　　美(měi)光西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(sh西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？àng)下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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