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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。三角函数中cscx等于什么，三角函数中cscx等于什么意思ong>

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)三角函数中cscx等于什么，三角函数中cscx等于什么意思孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。