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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的sand可数吗还是不可数，thousand可数吗是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīnsand可数吗还是不可数，thousand可数吗g)洗）等(děng)收入增长。

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