大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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