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　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎ中考立定跳远满分多少米2023，中考立定跳远男生评分标准2022ng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只(z中考立定跳远满分多少米2023，中考立定跳远男生评分标准2022hǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二中考立定跳远满分多少米2023，中考立定跳远男生评分标准2022大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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