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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(gu始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗ī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。<始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗/p>

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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