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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn20分米等于多少米 20分米等于多少厘米)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn20分米等于多少米 20分米等于多少厘米)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆20分米等于多少米 20分米等于多少厘米原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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