大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市但使龙城飞将在,不教胡马渡阴山的意思是什么，但使龙城飞将在不教胡马渡阴山的意思(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1但使龙城飞将在,不教胡马渡阴山的意思是什么，但使龙城飞将在不教胡马渡阴山的意思Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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