大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(b81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程ǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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