大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重10克是几两大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gō10克是几两ng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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