大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通早鸟票什么意思 早鸟票是最便宜的吗过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(早鸟票什么意思 早鸟票是最便宜的吗jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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