大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品一个男的长期不碰他老婆是什么原因(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西一个男的长期不碰他老婆是什么原因部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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