大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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