大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品六的大写是什么字，六的大写是什么怎么写。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(k六的大写是什么字，六的大写是什么怎么写è)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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