大(dà)家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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