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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对被保送了高考可以瞎写吗，被保送了高考考得很差还能录取吗美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(ch被保送了高考可以瞎写吗，被保送了高考考得很差还能录取吗ēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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