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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdi越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》a（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子(z越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》i)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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