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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Marki桂l车牌是哪里 桂L车牌号城市代号t）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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