大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网百万美元宝贝真实事件，百万美元宝贝真实事件是真的吗络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(c百万美元宝贝真实事件，百万美元宝贝真实事件是真的吗ún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。百万美元宝贝真实事件，百万美元宝贝真实事件是真的吗trong>存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。