大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(夷洲今是何地，夷洲是哪里ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》夷洲今是何地，夷洲是哪里等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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