大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审(sh红楼梦多少字ěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bà红楼梦多少字n)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，红楼梦多少字占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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