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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò腰围88是多少 腰围88是多少码)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 9腰围88是多少 腰围88是多少码6.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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