大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hàgta5怎么切换角色i)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国gta5怎么切换角色市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NANgta5怎么切换角色D Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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