大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息昆虫界的老大是谁，世界最强虫王第一名基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(昆虫界的老大是谁，世界最强虫王第一名shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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