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学跆拳道考级国家认可吗知乎,学跆拳道考级国家认可吗女生 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

  据(jù)网信办(bàn)消息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审查发(fā)现,美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ),网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对(duì)美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求,欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)学跆拳道考级国家认可吗知乎,学跆拳道考级国家认可吗女生产品服(fú)务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施供应链安全(quán),防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险,维护(hù)国家安全,依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对学跆拳道考级国家认可吗知乎,学跆拳道考级国家认可吗女生美光(guāng)公(gōng)司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分(fēn)析,如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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