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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％tan1等于多少，tan1等于多少兀。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(tan1等于多少，tan1等于多少兀xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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