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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子不拘于时句式类型，不拘于时句式还原(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占(z不拘于时句式类型，不拘于时句式还原hàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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