大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公(gōxl是多大码的衣服 xl可以穿到多少斤ng)司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěxl是多大码的衣服 xl可以穿到多少斤n)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáxl是多大码的衣服 xl可以穿到多少斤ng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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