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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.8危楼高百尺的危是什么意思，危楼高百尺的危是什么意思是危险还是高5％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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